题目内容：

NF3是微电子工业中常用的一种等离子蚀刻气体，具有较强的氧化性，工业生产NF3常用的方法有气一液反应法、气一固反应法和电解法等。

（1）气一液反应法中发生的主反应和副反应包括：

3F2(g)+NH3(l)=NF3(g)+3HF(l)  △H1

3F2(g)+NH4HF2(l)=NF3(g)+5HF(l)  △H2

4F2(g)+2NH3(l)=N2F2(g)+6HF(l)  △H3

NH3(l)+2HF(l)=NH4HF2(l)  △H4

△H1=_____。部分键能数据如下表所示，△H3=_____kJ/mol。

化学键	N-N	N=N	NN	H-F	F-F	N-H	N-F
键能（kJ/mol）	159	456	946	565	153	389	272

 

 

 

 

（2）气一固反应法主要包括两步反应：

(NH4)3AlF6(s)+6F2(g)2NF3(g)+8HF(g)+NH4AlF4(s)   反应Ⅰ

NH4AlF4(s)+3F2(g)NF3(g)+4HF(g)+ AlF3(s)   反应Ⅱ

反应I的平衡常数K1和反应II的平衡常数的关系是___。若在恒温、恒容的密闭容器中模拟气一固反应法（固体足量)，起始时F2的浓度为5mol/L，反应过程中容器中压强一随时间变化曲线如图所示，则前2min的平均反应速率v(NF3)=___mol/(L•min)，该温度下K2=___。

（3）电解法是通过电解含氟的熔融盐生产NF3，其原理如图所示。a需要接电源的____(填“正极”或“负极”)，生成气体A的电极反应是____。

 

（4）用NF3对多晶硅电子元件进行蚀刻时不会在电子元件表面形成任何残留物，其原因是_____。（用化学用语解释）