题目内容：

请按要求填空：

(1)Mg是第3周期元素，该周期部分元素氟化物的熔点见下表：

氟化物	NaF	MgF2	SiF4
熔点/K	1266	1534	183

 

 

①解释表中氟化物熔点差异的原因：

a．_________________________________________________。

b．__________________________________。

②硅在一定条件下可以与Cl2反应生成SiCl4，试判断SiCl4的沸点比CCl4的________(填“高”或“低”)，理由__________________________________。

(2)下列物质变化，只与范德华力有关的是_________

a．干冰熔化 b．乙酸汽化

c．石英熔融 d．HCONHCH3CH3溶于水

e．碘溶于四氯化碳

(3)C，N元素形成的新材料具有如下图所示结构， 该晶体的化学式为：_______________。该晶体硬度将超过目前世界上最硬的金刚石，其原因是________________________。

(4)FeCl3常温下为固体，熔点282 ℃，沸点315 ℃，在300 ℃以上升华。易溶于水，也易溶于乙醚、丙酮等有机溶剂。据此判断FeCl3的晶体类型为_________________。

(5)氮化碳和氮化硅晶体结构相似，是新型的非金属高温陶瓷材料，它们的硬度大，熔点高、化学性质稳定。

①氮化硅的硬度________(“大于”或“小于”)氮化碳的硬度，原因是________________。

②下列物质熔化时所克服的微粒间的作用力与氮化硅熔化时所克服的微粒间的作用力相同的是_________。

a．单质I2和晶体硅 b．冰和干冰

c．碳化硅和二氧化硅 d．石墨和氧化镁

③已知氮化硅的晶体结构中，原子间都以单键相连，且氮原子与氮原子不直接相连、硅原子与硅原子不直接相连，同时每个原子都满足8电子稳定结构，请写出氮化硅的化学式________。

(6)第ⅢA，ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。在GaN晶体中，每个Ga原子与______个N原子相连，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为________。在四大晶体类型中，GaN属于_______晶体。