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用矩形半导体薄片制成一个霍尔元件,E、F、M、N为其四个侧面。在E、F间通入恒定电流,同时外加与薄片上下表面垂直的匀强磁场,电流和磁感应强度B的方向如图所示。若半导体可自由移动电荷为正电荷,M、N间产...
题目内容:
用矩形半导体薄片制成一个霍尔元件,E、F、M、N为其四个侧面。在E、F间通入恒定电流,同时外加与薄片上下表面垂直的匀强磁场,电流和磁感应强度B的方向如图所示。若半导体可自由移动电荷为正电荷,M、N间产生的电势差为UH。下列说法正确的是
A. N板电势高于M板电势
B. N板电势低于M板电势
C. 只增大磁感应强度B,则UH变大
D. 只增大通入霍尔元件的电流I,则UH变大
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