题目内容：

砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：

(1)基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar]____。

(2)根据元素周期律，元素的电负性Ga____(填“大于”或“小于”，下同)As，第一电离能B____Ga；BF3和NH3的分子能够通过配位键相结合的原因是____。

(3)杀虫剂Na3AsO4中阴离子的空间构型为____，As原子采取____杂化。

(4)GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是____。

(5)原子晶体GaAs的晶胞参数a=x pm，它的晶胞结构如下图所示。该晶胞内部存在的共价键数为____；该晶体的密度为______g/cm3(阿伏加德罗常数的值用NA表示)。