题目内容：

二氧化锗(GeO2)可用于制备半导体材料，某实验小组以铁矾渣(主要成分为FeO、CaO、GeO和SiO2等)为原料制取二氧化锗的工艺流程如下所示。

已知：25℃时，部分金属阳离子转化为氢氧化物沉淀时的pH如下表所示。

离子	Fe3+	Mn2+	Ge4+
开始沉淀时的pH	2.3	8.3	8.2
沉淀完全时的pH	4.1	9.8	11.2

 

请回答下列问题：

(1)由下图可知，“浸出”时，所用硫酸的最佳质量分数为________，浸渣的主要成分为________________(填化学式)。

(2)“氧化”时，可选用的试剂为________(填字母)。

A.KMnO4   B.NaOH   C.H2O2   D.I2

(3)“氧化”时，若以适量稀硝酸作氧化剂，则Ge2+被氧化的离子方程式为________________。“氧化”后，选用K3[Fe(CN)6]溶液证明Fe2+已全部被氧化的实验现象为________________________________________________。

(4)“除铁”时，可选用Na2CO3为除铁剂，其原理为____________________________。

(5)已知Ge(OH)4，具有两性，在得到Ge(OH)4的过程中，若溶液的pH大于12，会导致Ge(OH)4溶解，写出该反应的离子方程式：________________________________。

(6)利用惰性电极电解酸性GeSO4溶液也可制得GeO2，则阳极的电极反应式为___________________。