题目内容：

Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长.耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题：

（1）下列说法正确的是__________（填序号）

A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同    B.第一电离能 As>Ga

C.电负性 As>Ga    D.原子半径 As>Ga

（2）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为_____________________________；

（3）AsH3空间形状为___________；已知（CH3）3 Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为____________；

Ⅱ. 金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。

（4）请解释金属铜能导电的原因_______________________， Cu2+的核外电子排布式为_______________________。

（5）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu（NH3）4]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有_________和_________。