题目内容：

氮化镓()材料具有低的热产生率和高的击穿电场，是制造大功率和高频微波电子器件的理想半导体材料。

已知：①Ga和Al同主族且相邻，化学性质与铝相似；②在室温下，氮化镓不溶于水，硬度高，熔点高，能与热的碱溶液缓慢反应。

(1)配平氮化镓制备的化学方程式：□Ga(l)+□NH3(g)⇌□GaN(s)+□H2(g)+QkJ(Q＞0)_____________

(2)上述反应的平衡常数表达式K=_____________；在恒温恒容密闭容器中制备氮化镓，下列有关说法正确的是_____________

A.Ⅰ图像中如果纵坐标为正反应速率，则t时刻改变的条件可能是加压

B.Ⅱ图像中纵坐标可以为镓的转化率

C.Ⅲ图像中纵坐标可以为化学反应速率

D.Ⅳ图像中纵坐标可以为平衡常数

(3)Ga最外层电子的核外电子排布式___________________，N核外能量最高的电子亚层上电子云空间伸展方向有_____________种；

(4)氮化镓的晶体类型_____________，氮化铝和氮化镓晶体类型相同，且结构相似，比较两者熔点的高低并解释原因_____________________________________________________________；

(5)写出氮化镓溶于热的NaOH溶液的离子方程式____________________________________。