题目内容：

GaN是制造5G芯片的材料，氮化镓铝和氮化铝LED可发出紫外光。回答下列问题：

(1)基态As原子核外电子排布式为[Ar]________，下列状态的铝中，电离最外层的一个电子所需能量最小的是_____________(填标号)。

A.     B.     C.[Ne]  D.

(2)8—羟基喹啉铝(分子式C27H18AlN3O3)用于发光材料及电子传输材料，可由LiAlH4与 (8—羟基喹啉)合成。LiAlH4中阴离子的空间构型为_______；所含元素中电负性最大的是___(填元素符号)，C、N、O的杂化方式依次为 _____、_________和____________。

(3)已知下列化合物的熔点：

化合物	AlF3	GaF3	AlCl3
熔点/℃	1040	1000	194

 

 

①表中卤化物的熔点产生差异的原因是____________。

②熔融AlCl3时可生成具有挥发性的二聚体Al2Cl6，二聚体Al2Cl6的结构式为_______；其中Al的配位数为_________。

(4)GaAs的晶胞结构如图所示，紧邻的As原子之间的距离为x,紧邻的As、Ga原子之间的距离为y，则 =________。