题目内容：

砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。

试回答下列问题

(1)写出基态As原子的核外电子排布式_______。

(2)根据元素周期律，原子半径Ga _____As(填“＞”或“<”下同)，第一电离能Ga _____As

(3)AsCl5分子的立体构型为___________，其中As的杂化轨道类型为_______。

(4)GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为79℃，其原因是________。

(5)GaAs的熔点为1238℃，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为_______，与As以_____键键合。已知阿伏加德罗常数为NA，晶胞参数＝lnm，此晶体的密度为_____ g·cm—3(写出计算式)。